依照全球最先进的三大晶圆厂台积电、三星、英特尔的方案，在2025年，我们的芯片技能要完成2纳米的水平，而到2027年时，可能会完成1.4nm。

  而依照ASML的估测，未来，芯片技能还会继续行进，到2029年时是1nm，到2039年时会到达0.2nm。

  而跟着芯片技能的推动，各种相关设备的精度也会渐渐的高，由于2nm的芯片，要求一些制作设备的精度，也会到达2nm这个等级。

  可是，夸大的来了，近来，在上海举行的Semicon大会上，我国芯片设备企业，完成了严重打破，其反响台之间的刻蚀精度已到达0.2A（亚埃级）。

  这次他们经过不断的前进反响台之间气体操控的精度，所以完成了ICP双反响台刻蚀机Primo Twin-Star®的0.2A精度。

  而且这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证，并不是PPT，或是说理论，而是有了实测的。

  但由于尹志尧博士，在兴办中微之前，一直在美国半导体企业作业，比方英特尔、泛林、使用资料等，有着丰厚的经历堆集，而且具有很多的个人专利。

  再加上他回归时，带了一大批在美国作业的华人半导体工程师回国，所以前进神速。

  所以中微敏捷的推出了刻蚀机，打破了美国在这一块的独占，本来美国对刻蚀机是禁运的，后来中微研制出了先进的刻蚀机，美国就解除了禁令。

  后来美国的使用资料发现中微这么凶猛，还诬告中微侵犯了它们的专利，但后来使用资料输了官司，不得不供认中微的技能凶猛。

  现在中微现已给台积电、中芯等公司可以供给先进的刻蚀机，从这个0.2A就可以精确的看出技能有多先进了。

  不只精度高，且依照尹志尧博士的说法，现在中微的刻蚀机现已完成100%的元件国产代替，不再需求进口，不需求过多的忧虑被谁卡脖子了，彻底是自主可控的。

  真希望其它国产半导体设备，都多向中微学习，假如都到达中微的精度和水平，那就彻底不需求过多的忧虑所谓的禁令了，那真的便是废纸了。